SSD накопитель Samsung 870 QVO 2 TB
Код товара: 9188
Нет в наличии
Артикул: MZ-77Q2T0BW
0 ₴
Доставка
Самовывоз
Доставка Новой Почтой
Доставка Курьером
Доставка Укр Почтой
Оплата
Оплата Наличными
Оплата Visa / MasterCard
Оплата на счет ФЛП
Оплата на карту
Гарантия и возврат
Отсутствует
14 Дней
Общие характеристики
Бренд
Samsung
Максимальная скорость записи, МБ/с
530
Максимальная скорость чтения, МБ/с
560
Объем, ГБ
2000
Товар на сайте бренда
https//www.samsung.com/sg/memory-storage/870-q...
Линейка
870 QVO
Тип
SSD накопитель
Серия
870 QVO
Для сервера
нет
Контроллер
Samsung MKX Controller
Масса, г
46
Поддержка TRIM
есть
Размеры, мм
100х69.85х6.8
Разное
S.M.A.R.T support, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS
98000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS
88000
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов
1,5
Стойкость к ударам
1500 G / 0.5 ms
Все характеристики
Samsung 870 QVO 2 TB (MZ-77Q2T0BW) - это качественный и универсальный твердотельный накопитель емкостью 2 ТБ, изготовленный с использованием флеш-памяти Samsung V-NAND 4bit MLC и контроллера Samsung MKX , сочетающий высокую скорость передачи данных и надежность самого устройства. Samsung 870 QVO 2TB (MZ-77Q2T0BW) использует для подключения интерфейс SATA версии 3.0. Он обеспечивает максимальную скорость чтения 560 МБ/с и максимальную скорость записи 530 МБ/с. Samsung 870 QVO 2 TB (MZ-77Q2T0BW) также поддерживает технологии S.M.A.R.T и TRIM и 256-битное шифрование.
Основные характеристики
Бренд
Samsung
Максимальная скорость записи, МБ/с
530
Максимальная скорость чтения, МБ/с
560
Объем, ГБ
2000
Товар на сайте бренда
https//www.samsung.com/sg/memory-storage/870-q...
Линейка
870 QVO
Тип
SSD накопитель
Серия
870 QVO
Корпус и габариты
Для сервера
нет
Контроллер
Samsung MKX Controller
Масса, г
46
Поддержка TRIM
есть
Размеры, мм
100х69.85х6.8
Разное
S.M.A.R.T support, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS
98000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS
88000
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов
1,5
Стойкость к ударам
1500 G / 0.5 ms
Тип флеш-памяти
Samsung V-NAND 4bit MLC
Форм-фактор
2,5
Недавно просмотренные










