SSD накопитель Samsung 870 QVO 4 TB
Код товара: 9157
Нет в наличии
Артикул: MZ-77Q4T0BW
0 ₴
Доставка
Самовывоз
Доставка Новой Почтой
Доставка Курьером
Доставка Укр Почтой
Оплата
Оплата Наличными
Оплата Visa / MasterCard
Оплата на счет ФЛП
Оплата на карту
Гарантия и возврат
Отсутствует
14 Дней
Общие характеристики
Бренд
Samsung
Максимальная скорость записи, МБ/с
530
Максимальная скорость чтения, МБ/с
560
Объем, ГБ
4000
Товар на сайте бренда
https//www.samsung.com/sg/memory-storage/870-q...
Линейка
870 QVO
Тип
SSD накопитель
Серия
870 QVO
Для сервера
нет
Контроллер
Samsung MKX Controller
Масса, г
57
Поддержка TRIM
есть
Размеры, мм
100х69.85х6.8
Разное
S.M.A.R.T support, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Ресурс записи (TBW), TB
1440
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS
98000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS
88000
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов
1,5
Все характеристики
Samsung 870 EVO 250GB (MZ-77E250BW) - один из самых популярных и надежных твердотельных накопителей емкостью 250 ГБ. Благодаря сбалансированным техническим характеристикам он отвечает универсальным требованиям и потребностям широкого круга пользователей.Интерфейс подключения SSD Samsung 870 EVO 250GB (MZ-77E250BW) - SATA версии 3.0. Максимально достижимая скорость чтения данных составляет 560 МБ/с, а записи - 530 МБ/с. Тип флеш-памяти - Samsung V-NAND с ячейками MLC . Кроме того, контроллер - собственного производства Sasmung MKX. Кроме того, Samsung SSD 870 EVO 250GB (MZ-77E250BW) поддерживает TRIM.
Основные характеристики
Бренд
Samsung
Максимальная скорость записи, МБ/с
530
Максимальная скорость чтения, МБ/с
560
Объем, ГБ
4000
Товар на сайте бренда
https//www.samsung.com/sg/memory-storage/870-q...
Линейка
870 QVO
Тип
SSD накопитель
Серия
870 QVO
Корпус и габариты
Для сервера
нет
Контроллер
Samsung MKX Controller
Масса, г
57
Поддержка TRIM
есть
Размеры, мм
100х69.85х6.8
Разное
S.M.A.R.T support, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Ресурс записи (TBW), TB
1440
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS
98000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS
88000
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов
1,5
Стойкость к ударам
1500 G / 0.5 ms
Тип флеш-памяти
Samsung V-NAND 4bit MLC
Форм-фактор
2,5
Недавно просмотренные






