SSD накопичувач Samsung 870 EVO 250 GB (MZ-77E250BW)


Код товару: 9148
Your browser does not support SVG Немає в наявності
0
Артикул: MZ-77E250BW
0
Доставка
Самовивіз Доставка Новою Поштою Доставка Курʼєром Доставка Укр Поштою
Оплата
Оплата Готівкою Оплата Visa / MasterCard Оплата на рахунок ФОП Оплата на карту
Гарантія та повернення
Відсутня 14 Днів
Загальні характеристики
Бренд Samsung Максимальна швидкість запису, МБ/с 530 Максимальна швидкість читання, МБ/с 560 Обсяг, ГБ 250 Товар на сайті бренду https//www.samsung.com/ua/memory-storage/sata-... Лінійка 870 EVO Тип SSD накопичувач Серія 870 EVO Контролер Samsung MKX Маса, г 45 Підтримка TRIM є Розміри, мм 100 x 69,85 x 6,8 Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин 1,5 Стійкість до ударів 1500 G / 0.5 ms Тип флеш-пам'яті NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC Форм-фактор 2,5 Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS 88000 Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS 98000
Всі характеристики

Samsung 870 EVO 250GB (MZ-77E250BW) - один з найпопулярніших і найнадійніших твердотільних накопичувачів ємністю 250 ГБ на ринку. Його збалансовані характеристики підходять для універсального використання та широкого спектру потреб користувачів. Samsung SSD 870 EVO 250GB (MZ-77E250BW) використовує інтерфейс SATA версії 3.0 як інтерфейс підключення. Максимальна швидкість читання і запису даних становить 560 МБ/с і 530 МБ/с відповідно. Тип флеш-пам'яті, що використовується в накопичувачі, - Samsung V-NAND з комірками MLC . Крім того, контролер - власного виробництва Sasmung MKX. Крім того, Samsung SSD 870 EVO 250GB (MZ-77E250BW) підтримує технологію TRIM.

Загальні характеристики
Бренд Samsung
Максимальна швидкість запису, МБ/с 530
Максимальна швидкість читання, МБ/с 560
Обсяг, ГБ 250
Товар на сайті бренду https//www.samsung.com/ua/memory-storage/sata-...
Лінійка 870 EVO
Тип SSD накопичувач
Серія 870 EVO
Корпус та габарити
Контролер Samsung MKX
Маса, г 45
Підтримка TRIM є
Розміри, мм 100 x 69,85 x 6,8
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин 1,5
Стійкість до ударів 1500 G / 0.5 ms
Тип флеш-пам'яті NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
Форм-фактор 2,5
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS 88000
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS 98000

Написати відгук

Примітка: HTML розмітка не підтримується! Використовуйте звичайний текст.
Переглянуті товари
Модули для Опенкарт 2.x - 3.x