SSD накопичувач Samsung 870 EVO 4 TB (MZ-77E4T0BW)


Код товару: 9177
Your browser does not support SVG Немає в наявності
0
Артикул: MZ-77E4T0BW
0
Доставка
Самовивіз Доставка Новою Поштою Доставка Курʼєром Доставка Укр Поштою
Оплата
Оплата Готівкою Оплата Visa / MasterCard Оплата на рахунок ФОП Оплата на карту
Гарантія та повернення
Відсутня 14 Днів
Загальні характеристики
Бренд Samsung Максимальна швидкість запису, МБ/с 530 Максимальна швидкість читання, МБ/с 560 Обсяг, ГБ 4000 Товар на сайті бренду https//www.samsung.com/ru/memory-storage/sata-... Лінійка 870 EVO Тип SSD накопичувач Серія 870 EVO Для сервера немає Контролер Samsung MKX Маса, г 48 Підтримка TRIM є Ресурс запису (TBW), TB 2400 Розміри, мм 100х69.85х6.8 Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин 1,5 Стійкість до ударів до 1500G Тип флеш-пам'яті NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC Форм-фактор 2,5
Всі характеристики

Samsung 870 EVO 4 TB (MZ-77E4T0BW) - це твердотільний накопичувач об'ємом 4 ТБ, який стане незамінним аксесуаром для всіх користувачів, які обробляють великі обсяги даних і потребують високої швидкості. Пристрій виконаний у 2,5 -дюймовому форм-факторі і використовує інтерфейс SATA 3.0. В Samsung 870 EVO 4 TB (MZ-77E4T0BW) використовується флеш-пам'ять V-NAND 3 біт MLC і контролер Samsung MKX. Максимальна швидкість читання - до 10 Гбіт/с. Максимально досяжна швидкість читання - 560 МБ/с, а швидкість запису - 530 МБ/с. Середній час роботи накопичувача становить до 1,5 млн годин, а ресурс запису - 2400 ТБ.Всі параметри Samsung 870 EVO 4 TB (MZ-77E4T0BW) можна відстежувати за допомогою фірмової утиліти Samsung Magician.

Загальні характеристики
Бренд Samsung
Максимальна швидкість запису, МБ/с 530
Максимальна швидкість читання, МБ/с 560
Обсяг, ГБ 4000
Товар на сайті бренду https//www.samsung.com/ru/memory-storage/sata-...
Лінійка 870 EVO
Тип SSD накопичувач
Серія 870 EVO
Корпус та габарити
Для сервера немає
Контролер Samsung MKX
Маса, г 48
Підтримка TRIM є
Ресурс запису (TBW), TB 2400
Розміри, мм 100х69.85х6.8
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин 1,5
Стійкість до ударів до 1500G
Тип флеш-пам'яті NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
Форм-фактор 2,5
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS 88000
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS 98000

Написати відгук

Примітка: HTML розмітка не підтримується! Використовуйте звичайний текст.
Переглянуті товари
Модули для Опенкарт 2.x - 3.x