SSD накопичувач Samsung 870 QVO 2 TB (MZ-77Q2T0BW)
Код товару: 9188
Немає в наявності
Артикул: MZ-77Q2T0BW
0 ₴
Доставка
Самовивіз
Доставка Новою Поштою
Доставка Курʼєром
Доставка Укр Поштою
Оплата
Оплата Готівкою
Оплата Visa / MasterCard
Оплата на рахунок ФОП
Оплата на карту
Гарантія та повернення
Відсутня
14 Днів
Загальні характеристики
Бренд
Samsung
Максимальна швидкість запису, МБ/с
530
Максимальна швидкість читання, МБ/с
560
Обсяг, ГБ
2000
Товар на сайті бренду
https//www.samsung.com/sg/memory-storage/870-q...
Лінійка
870 QVO
Тип
SSD накопичувач
Серія
870 QVO
Для сервера
немає
Контролер
Samsung MKX Controller
Маса, г
46
Підтримка TRIM
є
Різне
S.M.A.R.T support, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Розміри, мм
100х69.85х6.8
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин
1,5
Стійкість до ударів
1500 G / 0.5 ms
Тип флеш-пам'яті NAND
Samsung V-NAND 4bit MLC
Форм-фактор
2,5
Всі характеристики
Samsung 870 QVO 2 TB (MZ-77Q2T0BW) - це високоякісний, універсальний твердотільний накопичувач об'ємом 2 ТБ, виготовлений з використанням 4-бітної MLC флеш-пам'яті Samsung V-NAND і контролера Samsung MKX , що забезпечує як високу швидкість передачі даних, так і Samsung 870 QVO 2 TB (MZ-77Q2T0BW) використовує для підключення інтерфейс SATA версії 3.0. Це дозволяє досягти максимальної швидкості читання 560 МБ/с і швидкості запису 530 МБ/с. Крім того, Samsung 870 QVO 2 TB (MZ-77Q2T0BW) підтримує технології SMART і TRIM, а також 256-бітове шифрування.
Загальні характеристики
Бренд
Samsung
Максимальна швидкість запису, МБ/с
530
Максимальна швидкість читання, МБ/с
560
Обсяг, ГБ
2000
Товар на сайті бренду
https//www.samsung.com/sg/memory-storage/870-q...
Лінійка
870 QVO
Тип
SSD накопичувач
Серія
870 QVO
Корпус та габарити
Для сервера
немає
Контролер
Samsung MKX Controller
Маса, г
46
Підтримка TRIM
є
Різне
S.M.A.R.T support, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Розміри, мм
100х69.85х6.8
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин
1,5
Стійкість до ударів
1500 G / 0.5 ms
Тип флеш-пам'яті NAND
Samsung V-NAND 4bit MLC
Форм-фактор
2,5
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS
88000
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS
98000
Переглянуті товари









